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行業新聞

意法半導體(ST)新款1200V IGBT是業內性能最好的低頻晶體管

發布時間:2015-06-30 瀏覽次數:2621次
中國,2015年6月25日——意法半導體(STMicroelectronics,簡稱ST;紐約證
 
券交易所代碼:STM)推出S系列 1200V IGBT絕緣柵雙極晶體管。當開關頻率達到8k
 
Hz時,新系列雙極器件的導通和關斷綜合損耗創市場新低,大幅度提升不間斷電源、
 
太陽能發電、電焊機、工業電機等類似設備的電源轉換效率。
 
   新S系列擁有當前1200V IGBT市場上最低的飽和電壓(VCE(sat)),可確保更低
 
的壓降與最小的功率耗散,從而簡化熱管理系統。此外,正VCE(sat)溫度系數結合緊密
 
的參數分布,不僅簡化多支晶體管的并聯設計,亦滿足更大功率應用的要求。極低的
 
電壓過沖和關斷零振蕩(zero oscillation),幫助電源廠商使用更簡單的外部電路和更
 
少的外部組件。
 
   10μs最小短路耐受時間(在150°C初始結溫時),無閂鎖(latch-up free operati
 
on)效應,擁有175°C最高結溫以及寬安全工作區。多項優勢體現了新產品極強的耐
 
用性和可靠性。
 
   作為8kHz最高開關頻率硬開關拓撲的理想選擇,新款S系列采用第三代溝柵式場
 
截止(trench-gate field-stop)型制造工藝,補充并完善了意法半導體1200V IGBT的
 
M系列和H系列的市場布局,M系列和H系列產品分別定位在20kHz與20kHz以上的開關
 
電源市場,與新款S系列一起,這三大系列產品將成為常用開關頻率電源廠商針對先
 
進、高能效IBGT器件的最佳選擇。
 
   最新發布的S系列IGBT提供15A、25A、40A三個額定電流值,采用標準引腳或T
 
O-247加長引腳封裝。全系產品標配最新的內部續流二極管(freewheeling diode),
 
兼備快速恢復和高恢復軟度,確保IGBT具有超低電磁干擾和導通損耗。
 
關于意法半導體
 
  意法半導體(STMicroelectronics; ST)是全球領先的半導體解決方案供應商,為
 
客戶提供傳感器、功率器件、汽車產品和嵌入式處理器解決方案。從能源管理和節能
 
技術,到數字信任和數據安全,從醫療健身設備,到智能消費電子,從家電、汽車,
 
到辦公設備,從工作到娛樂,意法半導體的微電子器件無所不在,在豐富人們的生活
 
方面發揮著積極、創新的作用。意法半導體代表著科技引領智能生活的理念。
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